SJ 20183-1992 半导体分立器件 ３ＤＤ６型功率晶体管详细规范
作者:标准资料网 时间:2024-05-15 18:28:52 浏览:9192
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基本信息
| 标准名称： | 半导体分立器件 ３ＤＤ６型功率晶体管详细规范 |
| 英文名称： | Semiconductor discrete device-Detail specification for Type 3DD6 power transistor |
| 中标分类： | 矿业 >> 矿业综合 >> 技术管理 |
| 发布部门： | 中国电子工业总公司 |
| 发布日期： | 1992-11-19 |
| 实施日期： | 1993-05-01 |
| 首发日期： | 1900-01-01 |
| 作废日期： | 1900-01-01 |
| 归口单位： | 中国电子技术标准化研究所 |
| 起草单位： | 中国电子技术标准化研究所 |
| 起草人： | 蔡仁明、任慧敏、周志坤、罗德炎 |
| 出版社： | 电子工业出版社 |
| 出版日期： | 1993-04-01 |
| 页数： | 12页 |
适用范围
本规范规定了3DD6B~I型功率晶体管的详细要求。每种器件均按GJB33《半导体分立器件总规范》的规定，提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级).
前言
没有内容
目录
没有内容
引用标准
GB 4587-1984 双极型晶体管测试方法
GB 7092-1986 半导体集成电路外形尺寸
GJB 33-1985 半导体分立器件总规范
GJB 128-1986 半导体分立器件试验方法
所属分类： 矿业 矿业综合 技术管理
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